针对30W~35W的快充应用，整机计划可以使用磁耦通讯反响计划。所有计划都是原边集乐成率开关管，包括集成MOS和复合功率管计划。所有计划内置高压启动，其中集成复合功率管的磁耦计划内置了VCC供电电容，可以接纳两绕组变压器结构，无需VCC供电绕组和供电二极管，整个计划外围很是精练，为客户提供极具竞争力的解决计划，集成MOS计划外加VCC供电绕组可以获得10mW超低待机功耗，特殊适用于对空载功耗高要求的场合。

磁耦通讯反响

高压直驱，集成IGBT功率管

内置VCC电容

无VCC绕组&供电支路，

50mW超低空载功耗，知足PPS应用

ESOP-10封装增强散热

65kHz CCM/DCM

副边集成电压控制？

自顺应COT控制，超快动态响应

副边集成准确输出过过压&欠压；